IRFP460APBF型号 IRFP460APBF品牌 IRFP460APBF封装 IRFP460APBF批号 IRFP460APBF备注 IRFP460APBF VISHAY TO-247 2016+ 全新原装现货 IRFP460APBF VISHAY 500V/20A TO-247 功率MOSFET IRFP460APBF Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 IRFP460AP..
STW3N150 型号 STW3N150 品牌 STW3N150 封装 STW3N150 批号 STW3N150 备注 STW3N150 ST意法 TO-247 2016+ 原装正品现货 STW3N150 3N150 ST意法 TO-247 功率MOS管 STW3N150 N沟道 Si MOSFET STW3N150, 2.5 A, Vds=1500 V, 3针 TO-247封装..
HGTG5N120BND产品概述 HGTG5N120BND 基于非穿通(NPT)IGBT 设计。该 IGBT 非常适合许多工作频率中等,而低传导损耗又至关重要的高压开关应用,如:UPS、光伏逆变器、电机控制以及电源。 HGTG5N120BND产品特性 10A, 1200V, TC = 110°C ..
STP11NK40ZFP产品技术参数 数据列表 STP11NK40ZFP 标准包装 50 包装 管件 类别 分立半导体产品 产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 SuperMESH?? 规格 FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能 标准 漏源较电压(Vdss) 400V 电..
BU406产品概述 BU406 是一款400V 7A硅外延平面NPN晶体管。 BU406 设计用于高速开关应用,采用业界标准TO-220封装,提供设计灵活性以及出色的功耗性能。 BU406产品特性 高电压能力 高开关速度 低饱和电压 BU406产品应用 电视和CRT的水平..
FQB5N90概述 该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。 这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻, 并提供**的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校..